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產(chǎn)品展示

銳克

特種陶瓷

RCSC

致力于氮化硅陶瓷及碳化硅的生產(chǎn)、研發(fā)、銷售及相關(guān)的技術(shù)咨詢服務(wù)

Committed to the production, research and development, sales and related technical consulting services of  silicon nitride ceramics and cermet materials.

導(dǎo)熱基片

     未標(biāo)題-2.jpg

陶瓷基片主要規(guī)格


規(guī)格(mm)
長*寬   55*55      88*88   
 100*100  110*110 114.3*114.3
厚度0.172,0.175,0.20,0.24,0.25,0.32,0.4,0.50,1......

注:銳克特陶可根據(jù)用戶需求定制開發(fā)

 

氮化硅陶瓷基片主要材料性能特征表

材料
編號
密度
(g/cm3)
硬度
Hv (Gpa)
抗彎強(qiáng)度
(Mpa)
斷裂韌性
(Mpa m1/2
熱導(dǎo)
w/(m.k)
楊氏模量
(Gpa)
熱膨脹系數(shù)
(x10-6/K)
體積電阻率
(Ω.cm)
抗擊穿電壓
(Kv)
RCHS053.25 19~21600~8006~785~100300~3203≥1014>15
RCHS063.2918~20650~8506~770~90300~3203≥1014>15

 

陶瓷基片材料物理力學(xué)性能比對表:

基片材料氮化硅(高導(dǎo)熱)氮化鋁氧化鋁
強(qiáng)度/MPa600-800350400
斷裂韌性/(Mpa m1/26.0-8.02.73.0
熱導(dǎo)W/(m. k)80-10015020-30
電流承載能力/A≥300100-300≤100
熱阻/(℃/w)≤0.5 (0.5mCu)≤0.5 (0.3mmCu)≥1.0 (0.3mmCu)
可靠性*/次≥5000200300
使用成本較高

注:*可靠性測試指在-40~+150℃條件下循環(huán),材料不發(fā)生破壞的次數(shù)

 

銳克特陶氮化硅陶瓷基片采用熱壓燒結(jié)工藝,確保成品更具有致密性,產(chǎn)品的一致性、平面度、強(qiáng)度、韌性、導(dǎo)熱率等指標(biāo)更優(yōu)。

產(chǎn)品特性:

1、強(qiáng)度、韌性是氮化鋁陶瓷基片的 2-3 倍;

2、與氮化鎵、碳化硅及硅具有更好的熱膨脹系數(shù)匹配能力,可覆銅更厚而不產(chǎn)生瓷裂現(xiàn)象;

3、導(dǎo)熱率高,介電強(qiáng)度高,可靠性好。

氮化硅陶瓷基片具有高強(qiáng)度、高導(dǎo)熱、高韌性的特點(diǎn),可用濕法刻蝕工藝在表面制作電路,經(jīng)表面鍍覆后,可制成用于高可靠性電子基片模塊封裝的基片材料,產(chǎn)品在功率型發(fā)射器、光伏器件,IGBT模塊,功率型晶閘管、諧振器基座、半導(dǎo)體封裝載板等大功率光電及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域有廣泛用途。

 

功率型發(fā)射器IGBT模塊
半導(dǎo)體封裝功率型晶閘管