Committed to the production, research and development, sales and related technical consulting services of silicon nitride ceramics and cermet materials.
產(chǎn)品展示
陶瓷基片主要規(guī)格
規(guī)格(mm) | ||||||
長*寬 | 55*55 | 88*88 | 100*100 | 110*110 | 114.3*114.3 | |
厚度 | 0.172,0.175,0.20,0.24,0.25,0.32,0.4,0.50,1...... |
注:銳克特陶可根據(jù)用戶需求定制開發(fā)
氮化硅陶瓷基片主要材料性能特征表
材料 編號 | 密度 (g/cm3) | 硬度 Hv (Gpa) | 抗彎強度 (Mpa) | 斷裂韌性 (Mpa m1/2) | 熱導(dǎo) w/(m.k) | 楊氏模量 (Gpa) | 熱膨脹系數(shù) (x10-6/K) | 體積電阻率 (Ω.cm) | 抗擊穿電壓 (Kv) |
RCHS05 | 3.25 | 19~21 | 600~800 | 6~7 | 85~100 | 300~320 | 3 | ≥1014 | >15 |
RCHS06 | 3.29 | 18~20 | 650~850 | 6~7 | 70~90 | 300~320 | 3 | ≥1014 | >15 |
陶瓷基片材料物理力學(xué)性能比對表:
基片材料 | 氮化硅(高導(dǎo)熱) | 氮化鋁 | 氧化鋁 |
強度/MPa | 600-800 | 350 | 400 |
斷裂韌性/(Mpa m1/2) | 6.0-8.0 | 2.7 | 3.0 |
熱導(dǎo)W/(m. k) | 80-100 | 150 | 20-30 |
電流承載能力/A | ≥300 | 100-300 | ≤100 |
熱阻/(℃/w) | ≤0.5 (0.5mCu) | ≤0.5 (0.3mmCu) | ≥1.0 (0.3mmCu) |
可靠性*/次 | ≥5000 | 200 | 300 |
使用成本 | 高 | 較高 | 低 |
注:*可靠性測試指在-40~+150℃條件下循環(huán),材料不發(fā)生破壞的次數(shù)
銳克特陶氮化硅陶瓷基片采用熱壓燒結(jié)工藝,確保成品更具有致密性,產(chǎn)品的一致性、平面度、強度、韌性、導(dǎo)熱率等指標(biāo)更優(yōu)。
產(chǎn)品特性:
1、強度、韌性是氮化鋁陶瓷基片的 2-3 倍;
2、與氮化鎵、碳化硅及硅具有更好的熱膨脹系數(shù)匹配能力,可覆銅更厚而不產(chǎn)生瓷裂現(xiàn)象;
3、導(dǎo)熱率高,介電強度高,可靠性好。
氮化硅陶瓷基片具有高強度、高導(dǎo)熱、高韌性的特點,可用濕法刻蝕工藝在表面制作電路,經(jīng)表面鍍覆后,可制成用于高可靠性電子基片模塊封裝的基片材料,產(chǎn)品在功率型發(fā)射器、光伏器件,IGBT模塊,功率型晶閘管、諧振器基座、半導(dǎo)體封裝載板等大功率光電及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域有廣泛用途。
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功率型發(fā)射器 | IGBT模塊 |
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半導(dǎo)體封裝 | 功率型晶閘管 |