陶瓷基片材料以其優(yōu)良的導(dǎo)熱性和穩(wěn)定性，廣泛應(yīng)用于電力電子學(xué)、電子封裝、混合微電子和多芯片模塊等領(lǐng)域。當(dāng)前，工業(yè)發(fā)展革命前夕，必將給世界工業(yè)革命帶來不同的變化，下面一起了解下陶瓷基片種類及其特性普及。

　　一、按材料分類

　　1、Al2O3

　　迄今為止，氧化陶瓷基片是電子工業(yè)中常用的基板材料，原料來源豐富，在機(jī)械、熱、電性能方面比許多其他氧化物陶瓷強(qiáng)度和化學(xué)穩(wěn)定性高，適合各種技術(shù)制造和不同形狀。

　　2、BeO

　　具有比金屬鋁更高的導(dǎo)熱系數(shù)，應(yīng)用于需要高導(dǎo)熱的場合，但溫度超過300時迅速下降，重要的是毒性限制了自身的發(fā)展。

　　3、AlN

　　AlN有兩個非常重要的性能。 一個是高導(dǎo)熱系數(shù)，另一個是符合Si的膨脹系數(shù)。缺點(diǎn)是，即使表面有非常薄的氧化層，也會影響熱傳導(dǎo)率，必須嚴(yán)格控制材料和工藝才能制造均勻性良好的AlN基板。

　　綜合以上原因可知，氧化鋁陶瓷基片由于具有較好的綜合性能，并得到廣泛應(yīng)用，至今仍在微電子、電力電子學(xué)、混合微電子、功率模塊等領(lǐng)域處于主導(dǎo)地位。

　　二、陶瓷基片按制造技術(shù)劃分

　　目前，常見的陶瓷基片種類有HTCC、LTCC、DBC等，其中l(wèi)am是與我國科技大學(xué)國家光電實(shí)驗(yàn)室合作的專利技術(shù)，HTCCLTCC均為燒結(jié)技術(shù)，成本較高，另一方面，DBC和DPC是國內(nèi)近年來開發(fā)成熟、可批量生產(chǎn)的專業(yè)技術(shù)，該產(chǎn)品的批量生產(chǎn)能耗和成品率受到很大的挑戰(zhàn)，DPC技術(shù)是利用直接鍍銅技術(shù)將Cu沉積在Al2O3襯底上的工藝耦合材料，DBC是利用高溫加熱將Al2O3和Cu板結(jié)合起來的，技術(shù)瓶頸難以解決Al2O3和Cu板之間產(chǎn)生微孔的問題，但由于其材料控制和工藝技術(shù)匹配能力要求較高，進(jìn)入DPC產(chǎn)業(yè)穩(wěn)定生產(chǎn)的技術(shù)門檻相對較高，LAM技術(shù)也被稱為激光快速激活金屬化技術(shù)。

　　1、HTCC

　　HTCC又稱高溫共燒多層陶瓷，制備過程與LTCC極為相似，主要區(qū)別是HTCC的陶瓷粉末中未添加玻璃材質(zhì)，因此，用絲網(wǎng)印刷技術(shù)填埋孔和印刷布線，由于其共燒溫度高，HTCC還需要在高溫1300~1600的環(huán)境下干燥固化生成生胚，接著開設(shè)通孔，金屬導(dǎo)體材料的選擇受到限制。

　　2、LTCC

　　LTCC又稱低溫共燒多層陶瓷基板，是在無機(jī)氧化鋁粉和約30%~50%的玻璃材料中加入有機(jī)粘合劑均勻成泥狀漿料，然后用刮刀將漿料刮成片狀，經(jīng)過干燥過程將片狀漿料制成薄胚，使各層LTCC內(nèi)部電路采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)，在生胚上分別進(jìn)行填孔和印刷布線，內(nèi)外電極分別使用銀、銅、金等金屬，各層層壓動作，放入850-900燒結(jié)爐燒結(jié)成型即可完成。

　　3、DBC

　　直接復(fù)銅技術(shù)是利用含銅氧共晶液將銅直接粘貼在陶瓷上，其基本原理是在銅與陶瓷之間引入適量的氧元素，DBC技術(shù)利用該共晶液與陶瓷襯底發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成CuAlO2或CuAl2O4相，在1065~1083范圍內(nèi)銅與氧形成Cu-O共晶液。